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IS63WV1288DBLL-10TLI

IS63WV1288DBLL-10TLI

僅供參考

型號 IS63WV1288DBLL-10TLI
PNEDA編號 IS63WV1288DBLL-10TLI
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 10,197
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS63WV1288DBLL-10TLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS63WV1288DBLL-10TLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS63WV1288DBLL-10TLI, IS63WV1288DBLL-10TLI數據表 (總頁數: 20, 大小: 561.5 KB)
PDFIS63WV1288DBLL-10KLI數據表 封面
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IS63WV1288DBLL-10TLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電2.4V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝32-TSOP II

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存格式

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技術

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

54-TSOP II

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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