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IS65WV12816BLL-55TA3-TR

IS65WV12816BLL-55TA3-TR

僅供參考

型號 IS65WV12816BLL-55TA3-TR
PNEDA編號 IS65WV12816BLL-55TA3-TR
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 4,590
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS65WV12816BLL-55TA3-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS65WV12816BLL-55TA3-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
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IS65WV12816BLL-55TA3-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小2Mb (128K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.5V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

200µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.65V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

48-TSOP

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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內存類型

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內存格式

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內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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