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IS66WVE2M16EBLL-55BLI

IS66WVE2M16EBLL-55BLI

僅供參考

型號 IS66WVE2M16EBLL-55BLI
PNEDA編號 IS66WVE2M16EBLL-55BLI
描述 IC PSRAM 32M PARALLEL 48TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 5,778
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS66WVE2M16EBLL-55BLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS66WVE2M16EBLL-55BLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS66WVE2M16EBLL-55BLI, IS66WVE2M16EBLL-55BLI數據表 (總頁數: 33, 大小: 647.07 KB)
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IS66WVE2M16EBLL-55BLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式PSRAM
技術PSRAM (Pseudo SRAM)
內存大小32Mb (2M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFBGA
供應商設備包裝48-TFBGA (6x8)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.5V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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系列

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

32-DIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

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M95512-DFMC6TG

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

16MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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工作溫度

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