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IS66WVE4M16ALL-70BLI

IS66WVE4M16ALL-70BLI

僅供參考

型號 IS66WVE4M16ALL-70BLI
PNEDA編號 IS66WVE4M16ALL-70BLI
描述 IC PSRAM 64M PARALLEL 48TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 2,412
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS66WVE4M16ALL-70BLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS66WVE4M16ALL-70BLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS66WVE4M16ALL-70BLI, IS66WVE4M16ALL-70BLI數據表 (總頁數: 30, 大小: 591.93 KB)
PDFIS66WVE4M16ALL-7010BLI-TR數據表 封面
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IS66WVE4M16ALL-70BLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式PSRAM
技術PSRAM (Pseudo SRAM)
內存大小64Mb (4M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFBGA
供應商設備包裝48-TFBGA (6x8)

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內存格式

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技術

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內存大小

2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

32Mb (4M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

5µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

PSRAM

技術

PSRAM (Pseudo SRAM)

內存大小

32Mb (2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-VFBGA

供應商設備包裝

54-VFBGA (6x9)

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

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內存接口

SPI

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

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