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IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR

IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR

僅供參考

型號 IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR
PNEDA編號 IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR
描述 IC PSRAM 64M PARALLEL 48TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 7,398
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR, IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR數據表 (總頁數: 34, 大小: 790.42 KB)
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IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式PSRAM
技術PSRAM (Pseudo SRAM)
內存大小64Mb (4M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFBGA
供應商設備包裝48-TFBGA (6x8)

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內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

50µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

2Mb (128K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.25V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-VFBGA

供應商設備包裝

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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內存類型

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內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

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訪問時間

35ns

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