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ISL9N303AP3

ISL9N303AP3

僅供參考

型號 ISL9N303AP3
PNEDA編號 ISL9N303AP3
描述 MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,966
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 8 - 一月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ISL9N303AP3資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ISL9N303AP3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
ISL9N303AP3, ISL9N303AP3數據表 (總頁數: 11, 大小: 269.83 KB)
PDFISL9N303AS3數據表 封面
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ISL9N303AP3規格

制造商ON Semiconductor
系列UltraFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)75A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs172nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7000pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)215W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

45V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.8nC @ 5V

Vgs(最大)

20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

72A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 36A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3780pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

36W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220 Isolated Tab

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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ON Semiconductor

制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Ta), 150A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3100pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

45A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1640pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

89W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

56.8W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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