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ISL9R30120G2

ISL9R30120G2

僅供參考

型號 ISL9R30120G2
PNEDA編號 ISL9R30120G2
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 16,638
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 31 - 一月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ISL9R30120G2資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ISL9R30120G2
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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ISL9R30120G2規格

制造商ON Semiconductor
系列Stealth™
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果3.3V @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)100ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-2
供應商設備包裝TO-247-2
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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200V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

350mV @ 10mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 10V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

120A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 120A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4mA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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950mV @ 6A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

150pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

35pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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