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ISL9R8120P2

ISL9R8120P2

僅供參考

型號 ISL9R8120P2
PNEDA編號 ISL9R8120P2
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2L
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,820
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ISL9R8120P2資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ISL9R8120P2
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
ISL9R8120P2, ISL9R8120P2數據表 (總頁數: 6, 大小: 145.31 KB)
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ISL9R8120P2規格

制造商ON Semiconductor
系列Stealth™
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果3.3V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)300ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 1200V
電容@ Vr,F30pF @ 10V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220-2L
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

700µA @ 250V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15mA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-205AB, DO-9, Stud

供應商設備包裝

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制造商

Comchip Technology

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20V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

470mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 20V

電容@ Vr,F

100pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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