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ITC1100

ITC1100

僅供參考

型號 ITC1100
PNEDA編號 ITC1100
描述 RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55SW
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,622
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ITC1100資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ITC1100
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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ITC1100規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)65V
頻率-過渡1.03GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益10dB ~ 10.5dB
功率-最大3400W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10 @ 5A, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)80A
工作溫度200°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱55SW
供應商設備包裝55SW

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

10GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

增益

13dB ~ 7.5dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 7mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15mA

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

SC-70

MS2267

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

頻率-過渡

960MHz ~ 1.215GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8dB ~ 8.7dB

功率-最大

575W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

工作溫度

250°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

M214

供應商設備包裝

M214

START405TR

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制造商

STMicroelectronics

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

4.5V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

增益

19dB

功率-最大

45mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 4V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10mA

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

-

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

增益

15dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 8mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

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M/A-Com Technology Solutions

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

9.2dB

功率-最大

70W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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