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IX4R11M6T/R

IX4R11M6T/R

僅供參考

型號 IX4R11M6T/R
PNEDA編號 IX4R11M6T-R
描述 IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-MLP
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,754
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 22 - 四月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IX4R11M6T/R資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IX4R11M6T/R
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
IX4R11M6T/R, IX4R11M6T/R數據表 (總頁數: 6, 大小: 453.52 KB)
PDFIX4R11S3T/R數據表 封面
IX4R11S3T/R數據表 頁面 2 IX4R11S3T/R數據表 頁面 3 IX4R11S3T/R數據表 頁面 4 IX4R11S3T/R數據表 頁面 5 IX4R11S3T/R數據表 頁面 6

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IX4R11M6T/R規格

制造商IXYS
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型IGBT, N-Channel MOSFET
電壓-供電10V ~ 20V
邏輯電壓-VIL,VIH6V, 7V
電流-峰值輸出(源極,接收器)4A, 4A
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)650V
上升/下降時間(典型值)23ns, 22ns
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱16-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝16-MLP (7x6)

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

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IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

4.5V, 9.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 3A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

25ns, 20ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

14-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

14-PDIP

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制造商

Microchip Technology

系列

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

4

門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.2A, 1.2A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

14ns, 13ns

工作溫度

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16-SOIC

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系列

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

8V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.3A, 1.4A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

118V

上升/下降時間(典型值)

15ns, 15ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

6

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

250mA, 500mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

80ns, 40ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

28-SOIC

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IXYS

制造商

IXYS

系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 30V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

9ns, 8ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

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