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IXBF50N360

IXBF50N360

僅供參考

型號 IXBF50N360
PNEDA編號 IXBF50N360
描述 IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,514
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 10 - 二月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXBF50N360資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXBF50N360
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXBF50N360, IXBF50N360數據表 (總頁數: 6, 大小: 202.66 KB)
PDFIXBF50N360數據表 封面
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IXBF50N360規格

制造商IXYS
系列BIMOSFET™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)3600V
當前-集電極(Ic)(最大值)70A
電流-集電極脈沖(Icm)420A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.9V @ 15V, 50A
功率-最大290W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用210nC
25°C時的Td(開/關)46ns/205ns
測試條件960V, 50A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)1.7µs
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱i4-Pac™-5 (3 Leads)
供應商設備包裝ISOPLUS i4-PAC™

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

5.5A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

7V @ 15V, 3A

功率-最大

50W

開關能量

590µJ (on), 180µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

18.5nC

25°C時的Td(開/關)

46ns/220ns

測試條件

850V, 6A, 33Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 50A

功率-最大

370W

開關能量

360µJ (on), 380µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

240nC

25°C時的Td(開/關)

34ns/130ns

測試條件

390V, 33A, 3.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

50ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1350V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.85V @ 15V, 20A

功率-最大

288W

開關能量

950µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

170nC

25°C時的Td(開/關)

-/235ns

測試條件

600V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.55V @ 15V, 35A

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開關能量

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Standard

門禁費用

160nC

25°C時的Td(開/關)

26ns/110ns

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42ns

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