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IXBH24N170

IXBH24N170

僅供參考

型號 IXBH24N170
PNEDA編號 IXBH24N170
描述 IGBT 1700V 60A 250W TO247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 4,626
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 15 - 三月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXBH24N170資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXBH24N170
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXBH24N170, IXBH24N170數據表 (總頁數: 5, 大小: 175.57 KB)
PDFIXBT24N170數據表 封面
IXBT24N170數據表 頁面 2 IXBT24N170數據表 頁面 3 IXBT24N170數據表 頁面 4 IXBT24N170數據表 頁面 5

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IXBH24N170規格

制造商IXYS
系列BIMOSFET™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)230A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 24A
功率-最大250W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用140nC
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)1.06µs
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AD (IXBH)

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650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

85A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

功率-最大

273W

開關能量

410µJ (on), 190µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

109nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/250ns

測試條件

400V, 25A, 12Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

53ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-4

供應商設備包裝

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制造商

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IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

95A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 60A

功率-最大

375W

開關能量

7.2mJ (on), 4.8mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

350nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

600V, 60A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

78A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.35V @ 15V, 30A

功率-最大

370W

開關能量

350µJ (on), 825µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

102nC

25°C時的Td(開/關)

46ns/185ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 20A

功率-最大

179W

開關能量

440µJ (on), 330µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

36ns/225ns

測試條件

400V, 20A, 16Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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供應商設備包裝

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