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IXBT6N170

IXBT6N170

僅供參考

型號 IXBT6N170
PNEDA編號 IXBT6N170
描述 IGBT 1700V 12A 75W TO268
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,200
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXBT6N170資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXBT6N170
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXBT6N170, IXBT6N170數據表 (總頁數: 5, 大小: 180.22 KB)
PDFIXBT6N170數據表 封面
IXBT6N170數據表 頁面 2 IXBT6N170數據表 頁面 3 IXBT6N170數據表 頁面 4 IXBT6N170數據表 頁面 5

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IXBT6N170規格

制造商IXYS
系列BIMOSFET™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)12A
電流-集電極脈沖(Icm)36A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.4V @ 15V, 6A
功率-最大75W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用17nC
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)1.08µs
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
供應商設備包裝TO-268

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 15A

功率-最大

186W

開關能量

3mJ (on), 600µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/160ns

測試條件

600V, 15A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

330ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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門禁費用

17nC

25°C時的Td(開/關)

-/4.8µs

測試條件

300V, 1kOhm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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安裝類型

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