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IXBX75N170

IXBX75N170

僅供參考

型號 IXBX75N170
PNEDA編號 IXBX75N170
描述 IGBT 1700V 200A 1040W PLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,940
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 4 - 四月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXBX75N170資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXBX75N170
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXBX75N170, IXBX75N170數據表 (總頁數: 5, 大小: 179.72 KB)
PDFIXBX75N170數據表 封面
IXBX75N170數據表 頁面 2 IXBX75N170數據表 頁面 3 IXBX75N170數據表 頁面 4 IXBX75N170數據表 頁面 5

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IXBX75N170規格

制造商IXYS
系列BIMOSFET™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)200A
電流-集電極脈沖(Icm)580A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.1V @ 15V, 75A
功率-最大1040W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用350nC
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)1.5µs
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝PLUS247™-3

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電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

功率-最大

290W

開關能量

4.5mJ (on), 5.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

190nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

600V, 50A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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安裝類型

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電流-集電極脈沖(Icm)

480A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 120A

功率-最大

833W

開關能量

4.1mJ (on), 2.8mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

772nC

25°C時的Td(開/關)

33ns/310ns

測試條件

400V, 120A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

280ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

IXYS

系列

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

6.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

63nC

25°C時的Td(開/關)

28ns/400ns

測試條件

800V, 20A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

13A

電流-集電極脈沖(Icm)

52A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

功率-最大

60W

開關能量

100µJ (on), 120µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

21ns/86ns

測試條件

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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