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IXBX75N170

IXBX75N170

僅供參考

型號 IXBX75N170
PNEDA編號 IXBX75N170
描述 IGBT 1700V 200A 1040W PLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,940
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXBX75N170資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXBX75N170
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXBX75N170, IXBX75N170數據表 (總頁數: 5, 大小: 179.72 KB)
PDFIXBX75N170數據表 封面
IXBX75N170數據表 頁面 2 IXBX75N170數據表 頁面 3 IXBX75N170數據表 頁面 4 IXBX75N170數據表 頁面 5

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IXBX75N170規格

制造商IXYS
系列BIMOSFET™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)200A
電流-集電極脈沖(Icm)580A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.1V @ 15V, 75A
功率-最大1040W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用350nC
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)1.5µs
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝PLUS247™-3

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50A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-/5µs

測試條件

300V, 9A, 1kOhm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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安裝類型

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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輸入類型

Logic

門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 120A

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輸入類型

Standard

門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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測試條件

400V, 120A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

280ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

11A

電流-集電極脈沖(Icm)

12A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.05V @ 15V, 4A

功率-最大

58W

開關能量

140µJ (on), 62µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

9nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/120ns

測試條件

400V, 4A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

48ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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