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IXDI602SIA

IXDI602SIA

僅供參考

型號 IXDI602SIA
PNEDA編號 IXDI602SIA
描述 MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
制造商 IXYS Integrated Circuits Division
單價 請求報價
庫存 15,804
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXDI602SIA資源

品牌 IXYS Integrated Circuits Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXDI602SIA
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
IXDI602SIA, IXDI602SIA數據表 (總頁數: 13, 大小: 261.99 KB)
PDFIXDI602SI數據表 封面
IXDI602SI數據表 頁面 2 IXDI602SI數據表 頁面 3 IXDI602SI數據表 頁面 4 IXDI602SI數據表 頁面 5 IXDI602SI數據表 頁面 6 IXDI602SI數據表 頁面 7 IXDI602SI數據表 頁面 8 IXDI602SI數據表 頁面 9 IXDI602SI數據表 頁面 10 IXDI602SI數據表 頁面 11

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IXDI602SIA規格

制造商IXYS Integrated Circuits Division
系列-
驅動配置Low-Side
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
電壓-供電4.5V ~ 35V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 3V
電流-峰值輸出(源極,接收器)2A, 2A
輸入類型Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)7.5ns, 6.5ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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邏輯電壓-VIL,VIH

1V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

118V

上升/下降時間(典型值)

15ns, 12ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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輸入類型

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高壓側-最大(自舉)

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系列

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Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.5A, 1.5A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

20ns, 29ns

工作溫度

0°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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頻道類型

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邏輯電壓-VIL,VIH

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電流-峰值輸出(源極,接收器)

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輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

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頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 35V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

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