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IXDN614CI

IXDN614CI

僅供參考

型號 IXDN614CI
PNEDA編號 IXDN614CI
描述 14A 5PIN TO-220 NON INVERTING
制造商 IXYS Integrated Circuits Division
單價 請求報價
庫存 3,438
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 7 - 三月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXDN614CI資源

品牌 IXYS Integrated Circuits Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXDN614CI
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
IXDN614CI, IXDN614CI數據表 (總頁數: 14, 大小: 265.86 KB)
PDFIXDD614D2TR數據表 封面
IXDD614D2TR數據表 頁面 2 IXDD614D2TR數據表 頁面 3 IXDD614D2TR數據表 頁面 4 IXDD614D2TR數據表 頁面 5 IXDD614D2TR數據表 頁面 6 IXDD614D2TR數據表 頁面 7 IXDD614D2TR數據表 頁面 8 IXDD614D2TR數據表 頁面 9 IXDD614D2TR數據表 頁面 10 IXDD614D2TR數據表 頁面 11

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IXDN614CI規格

制造商IXYS Integrated Circuits Division
系列-
驅動配置Low-Side
頻道類型Single
驅動程序數量1
門類型IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
電壓-供電4.5V ~ 35V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 3V
電流-峰值輸出(源極,接收器)14A, 14A
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)25ns, 18ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-5 Formed Leads
供應商設備包裝TO-220-5

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制造商

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

9V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.6A, 1.6A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

118V

上升/下降時間(典型值)

600ns, 600ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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Renesas Electronics America Inc.

制造商

Renesas Electronics America Inc.

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

4

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

10.8V ~ 13.2V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.25A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

36V

上升/下降時間(典型值)

26ns, 18ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

290mA, 600mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

100ns, 35ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

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制造商

Maxim Integrated

系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.5A, 1.5A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

20ns, 20ns

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

6EDL04I06NTXUMA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

3-Phase

驅動程序數量

6

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

13V ~ 17.5V

邏輯電壓-VIL,VIH

1.1V, 1.7V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

60ns, 26ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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