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IXDP35N60B

IXDP35N60B

僅供參考

型號 IXDP35N60B
PNEDA編號 IXDP35N60B
描述 IGBT 600V 60A 250W TO220AB
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,406
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXDP35N60B資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXDP35N60B
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXDP35N60B, IXDP35N60B數據表 (總頁數: 4, 大小: 188.77 KB)
PDFIXDP35N60B數據表 封面
IXDP35N60B數據表 頁面 2 IXDP35N60B數據表 頁面 3 IXDP35N60B數據表 頁面 4

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IXDP35N60B規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)70A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 35A
功率-最大250W
開關能量1.6mJ (on), 800µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用120nC
25°C時的Td(開/關)-
測試條件300V, 35A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

430V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 4V, 6A

功率-最大

130W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

12nC

25°C時的Td(開/關)

-/3.64µs

測試條件

300V, 1kOhm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 31A

功率-最大

160W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

當前-集電極(Ic)(最大值)

120A

電流-集電極脈沖(Icm)

180A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.4V @ 15V, 25A

功率-最大

60W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

112nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

140A

電流-集電極脈沖(Icm)

225A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 75A

功率-最大

483W

開關能量

3.1mJ (on), 2.8mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

85ns/222ns

測試條件

400V, 75A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

90ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247AC

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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門禁費用

150nC

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