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IXER35N120D1

IXER35N120D1

僅供參考

型號 IXER35N120D1
PNEDA編號 IXER35N120D1
描述 IGBT 1200V 50A 200W TO247
制造商 IXYS
單價
1 ---------- $117.6891
50 ---------- $112.1724
100 ---------- $106.6557
200 ---------- $101.1391
400 ---------- $96.5418
500 ---------- $91.9446
庫存 93
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXER35N120D1資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXER35N120D1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXER35N120D1, IXER35N120D1數據表 (總頁數: 4, 大小: 78.39 KB)
PDFIXER35N120D1數據表 封面
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IXER35N120D1規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.8V @ 15V, 35A
功率-最大200W
開關能量5.4mJ (on), 2.6mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用150nC
25°C時的Td(開/關)-
測試條件600V, 35A, 39Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)80ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱ISOPLUS247™
供應商設備包裝ISOPLUS247™

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 50A

功率-最大

595W

開關能量

1.4mJ (on), 1.65mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

340nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

600V, 40A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

180ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Infineon Technologies

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

7.8A

電流-集電極脈沖(Icm)

15.6A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 3A

功率-最大

52W

開關能量

62µJ (on), 39µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

13nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/110ns

測試條件

400V, 3A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

77ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 37A

功率-最大

45W

開關能量

650µJ (on), 270µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

78nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/135ns

測試條件

300V, 37A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

100ns

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3PFM, SC-93-3

供應商設備包裝

TO-3PFM

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

2500V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

5.2V @ 15V, 75A

功率-最大

250W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

75nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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Through Hole

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