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IXFB100N50P

IXFB100N50P

僅供參考

型號 IXFB100N50P
PNEDA編號 IXFB100N50P
描述 MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,658
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFB100N50P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFB100N50P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFB100N50P, IXFB100N50P數據表 (總頁數: 5, 大小: 152.74 KB)
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IXFB100N50P數據表 頁面 2 IXFB100N50P數據表 頁面 3 IXFB100N50P數據表 頁面 4 IXFB100N50P數據表 頁面 5

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IXFB100N50P規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, PolarHT™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs49mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs240nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds20000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1890W (Tc)
工作溫度-
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PLUS264™
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta), 18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 2.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

408pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.9W (Ta), 50W (Tc)

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安裝類型

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 280µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1081pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

72W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

330V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

63mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

85W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 33µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1730pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

79W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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