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IXFB120N50P2

IXFB120N50P2

僅供參考

型號 IXFB120N50P2
PNEDA編號 IXFB120N50P2
描述 MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,112
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFB120N50P2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFB120N50P2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFB120N50P2, IXFB120N50P2數據表 (總頁數: 5, 大小: 141.53 KB)
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IXFB120N50P2規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, PolarHV™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs43mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs300nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds19000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1890W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PLUS264™
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 140µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

555pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

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190mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5Ohm @ 190mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

265mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1080pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 55W (Tc)

工作溫度

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CAP CER 0.33UF 16V X7R 0805