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IXFC15N80Q

IXFC15N80Q

僅供參考

型號 IXFC15N80Q
PNEDA編號 IXFC15N80Q
描述 MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,398
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFC15N80Q資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFC15N80Q
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFC15N80Q, IXFC15N80Q數據表 (總頁數: 2, 大小: 517.57 KB)
PDFIXFC15N80Q數據表 封面
IXFC15N80Q數據表 頁面 2

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IXFC15N80Q規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs650mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs90nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4300pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)230W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ISOPLUS220™
包裝/箱ISOPLUS220™

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漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

140A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.2mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5500pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 1.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

281pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

600mW (Ta), 900mW (Tc)

工作溫度

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20.5A (Ta), 140A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

224nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11135pF @ 40V

FET功能

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功耗(最大值)

2.1W (Ta), 333W (Tc)

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-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.5nC @ 10V

Vgs(最大)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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