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IXFH110N15T2

IXFH110N15T2

僅供參考

型號 IXFH110N15T2
PNEDA編號 IXFH110N15T2
描述 MOSFET N-CH 150V 110A TO-247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFH110N15T2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFH110N15T2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFH110N15T2, IXFH110N15T2數據表 (總頁數: 6, 大小: 165.57 KB)
PDFIXFH110N15T2數據表 封面
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IXFH110N15T2規格

制造商IXYS
系列TrenchT2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)110A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs13mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs150nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds8600pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)480W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247AD (IXFH)
包裝/箱TO-247-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

770pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

74W (Tc)

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 3.5A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

840pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta), 71A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.8mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 70µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3700pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

114W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 180µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

118nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4100pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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