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IXFH120N25X3

IXFH120N25X3

僅供參考

型號 IXFH120N25X3
PNEDA編號 IXFH120N25X3
描述 MOSFET N-CH 250V 120A TO247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,534
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFH120N25X3資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFH120N25X3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXFH120N25X3規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs12mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs122nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7870pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)520W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247
包裝/箱TO-247-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

225mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 240µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

996pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

29W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 1.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

360pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Ta), 107A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.3W (Ta), 68W (Tc)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

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