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IXFH12N100F

IXFH12N100F

僅供參考

型號 IXFH12N100F
PNEDA編號 IXFH12N100F
描述 MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
制造商 IXYS-RF
單價 請求報價
庫存 6,660
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 29 - 二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFH12N100F資源

品牌 IXYS-RF
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFH12N100F
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFH12N100F, IXFH12N100F數據表 (總頁數: 2, 大小: 136.2 KB)
PDFIXFH12N100F數據表 封面
IXFH12N100F數據表 頁面 2

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IXFH12N100F規格

制造商IXYS-RF
系列HiPerRF™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.05Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs77nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2700pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247AD (IXFH)
包裝/箱TO-3P-3 Full Pack

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4750pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta), 300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Ta), 85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3720pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 104W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

38A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

980pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

80W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 8.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.05W (Ta)

工作溫度

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