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IXFH14N100

IXFH14N100

僅供參考

型號 IXFH14N100
PNEDA編號 IXFH14N100
描述 MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,552
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFH14N100資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFH14N100
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFH14N100, IXFH14N100數據表 (總頁數: 4, 大小: 622.25 KB)
PDFIXFX14N100數據表 封面
IXFX14N100數據表 頁面 2 IXFX14N100數據表 頁面 3 IXFX14N100數據表 頁面 4

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IXFH14N100規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs750mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs220nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)360W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247AD (IXFH)
包裝/箱TO-247-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

97mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta), 8.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

307mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

885pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 40W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

54A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.9mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.95V @ 1mA

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1.15A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

108mOhm @ 1.15A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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