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IXFH150N20T

IXFH150N20T

僅供參考

型號 IXFH150N20T
PNEDA編號 IXFH150N20T
描述 MOSFET N-CH 200V 150A TO-247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,148
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFH150N20T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFH150N20T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFH150N20T, IXFH150N20T數據表 (總頁數: 6, 大小: 181.97 KB)
PDFIXFT150N20T數據表 封面
IXFT150N20T數據表 頁面 2 IXFT150N20T數據表 頁面 3 IXFT150N20T數據表 頁面 4 IXFT150N20T數據表 頁面 5 IXFT150N20T數據表 頁面 6

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IXFH150N20T規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, TrenchT2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)150A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs15mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs177nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11700pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)890W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247AD (IXFH)
包裝/箱TO-247-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 33.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

260nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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5.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 8.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

205nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

890W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

49nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1630pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 62.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

3.75W (Ta), 54W (Tc)

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