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IXFH18N60P

IXFH18N60P

僅供參考

型號 IXFH18N60P
PNEDA編號 IXFH18N60P
描述 MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFH18N60P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFH18N60P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFH18N60P, IXFH18N60P數據表 (總頁數: 5, 大小: 172.37 KB)
PDFIXFV18N60PS數據表 封面
IXFV18N60PS數據表 頁面 2 IXFV18N60PS數據表 頁面 3 IXFV18N60PS數據表 頁面 4 IXFV18N60PS數據表 頁面 5

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IXFH18N60P規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, PolarHT™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)18A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs400mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs50nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)360W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247AD (IXFH)
包裝/箱TO-247-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-220-3

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

38A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.15mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6060pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 5.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 8V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 31W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.3mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 300µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta), 48W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

650mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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