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IXFH230N075T2

IXFH230N075T2

僅供參考

型號 IXFH230N075T2
PNEDA編號 IXFH230N075T2
描述 MOSFET N-CH 75V 230A TO-247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,802
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFH230N075T2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFH230N075T2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFH230N075T2, IXFH230N075T2數據表 (總頁數: 6, 大小: 164.19 KB)
PDFIXFH230N075T2數據表 封面
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IXFH230N075T2規格

制造商IXYS
系列TrenchT2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)75V
電流-25°C時的連續漏極(Id)230A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs178nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)480W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247AD (IXFH)
包裝/箱TO-247-3

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

172nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.9V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

350V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25Ohm @ 120mA, 0V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 25V

FET功能

Depletion Mode

功耗(最大值)

15W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

385mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 340µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

790pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

31W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 17.8W (Tc)

工作溫度

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