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IXFH30N85X

IXFH30N85X

僅供參考

型號 IXFH30N85X
PNEDA編號 IXFH30N85X
描述 MOSFET N-CH 850V 30A TO247AD
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,640
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFH30N85X資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFH30N85X
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFH30N85X, IXFH30N85X數據表 (總頁數: 6, 大小: 258.29 KB)
PDFIXFT30N85XHV數據表 封面
IXFT30N85XHV數據表 頁面 2 IXFT30N85XHV數據表 頁面 3 IXFT30N85XHV數據表 頁面 4 IXFT30N85XHV數據表 頁面 5 IXFT30N85XHV數據表 頁面 6

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IXFH30N85X規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)850V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs220mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs68nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2460pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)695W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247AD (IXFH)
包裝/箱TO-247-3

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

580pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

210A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.1mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7900pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 27.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

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