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IXFH50N20

IXFH50N20

僅供參考

型號 IXFH50N20
PNEDA編號 IXFH50N20
描述 MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 13,512
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFH50N20資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFH50N20
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXFH50N20規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs45mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs220nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4400pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247AD (IXFH)
包裝/箱TO-247-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 48A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

99nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5850pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

67mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1642pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

63W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

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1.2Ohm @ 2.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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