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IXFK140N20P

IXFK140N20P

僅供參考

型號 IXFK140N20P
PNEDA編號 IXFK140N20P
描述 MOSFET N-CH 200V 140A TO-264
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,094
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFK140N20P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFK140N20P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFK140N20P, IXFK140N20P數據表 (總頁數: 5, 大小: 225.93 KB)
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IXFK140N20P數據表 頁面 2 IXFK140N20P數據表 頁面 3 IXFK140N20P數據表 頁面 4 IXFK140N20P數據表 頁面 5

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IXFK140N20P規格

制造商IXYS
系列PolarHT™ HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)140A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V, 15V
Rds On(Max)@ Id,Vgs18mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs240nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)830W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-264AA (IXFK)
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.6A (Ta), 40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.9nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

860pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.27W (Ta), 35.3W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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TO-251-3 Stub Leads, IPak

制造商

IXYS

系列

HiPerFET™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

170A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.4mOhm @ 85A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

190nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

960W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2689pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

157W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

520mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 280mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

80pF @ 24V

FET功能

-

功耗(最大值)

417mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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功耗(最大值)

208W (Tc)

工作溫度

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