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IXFK230N20T

IXFK230N20T

僅供參考

型號 IXFK230N20T
PNEDA編號 IXFK230N20T
描述 MOSFET N-CH 200V 230A TO-264
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,892
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFK230N20T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFK230N20T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFK230N20T, IXFK230N20T數據表 (總頁數: 6, 大小: 170.43 KB)
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IXFK230N20T數據表 頁面 2 IXFK230N20T數據表 頁面 3 IXFK230N20T數據表 頁面 4 IXFK230N20T數據表 頁面 5 IXFK230N20T數據表 頁面 6

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IXFK230N20T規格

制造商IXYS
系列GigaMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)230A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs378nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds28000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1670W (Tc)
工作溫度-
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-264AA (IXFK)
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27.5mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3200pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

280nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10000pF @ 25V

FET功能

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2007pF @ 30V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

690pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

60W (Tc)

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