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IXFK64N50Q3

IXFK64N50Q3

僅供參考

型號 IXFK64N50Q3
PNEDA編號 IXFK64N50Q3
描述 MOSFET N-CH 500V 64A TO-264
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 4,824
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFK64N50Q3資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFK64N50Q3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFK64N50Q3, IXFK64N50Q3數據表 (總頁數: 5, 大小: 127.45 KB)
PDFIXFK64N50Q3數據表 封面
IXFK64N50Q3數據表 頁面 2 IXFK64N50Q3數據表 頁面 3 IXFK64N50Q3數據表 頁面 4 IXFK64N50Q3數據表 頁面 5

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IXFK64N50Q3規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)64A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs85mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID6.5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs145nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6950pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1000W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-264AA (IXFK)
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

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-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

89A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 46A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 170W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 280µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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