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IXFK66N50Q2

IXFK66N50Q2

僅供參考

型號 IXFK66N50Q2
PNEDA編號 IXFK66N50Q2
描述 MOSFET N-CH 500V 66A TO-264
制造商 IXYS
單價 $267.4985
庫存 0
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFK66N50Q2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFK66N50Q2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFK66N50Q2, IXFK66N50Q2數據表 (總頁數: 5, 大小: 582.43 KB)
PDFIXFX66N50Q2數據表 封面
IXFX66N50Q2數據表 頁面 2 IXFX66N50Q2數據表 頁面 3 IXFX66N50Q2數據表 頁面 4 IXFX66N50Q2數據表 頁面 5

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IXFK66N50Q2規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)66A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs80mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs200nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds8400pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)735W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-264AA (IXFK)
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 25V

FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

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