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IXFK78N50P3

IXFK78N50P3

僅供參考

型號 IXFK78N50P3
PNEDA編號 IXFK78N50P3
描述 MOSFET N-CH 500V 78A TO264
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,730
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFK78N50P3資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFK78N50P3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFK78N50P3, IXFK78N50P3數據表 (總頁數: 5, 大小: 126.23 KB)
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IXFX78N50P3數據表 頁面 2 IXFX78N50P3數據表 頁面 3 IXFX78N50P3數據表 頁面 4 IXFX78N50P3數據表 頁面 5

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IXFK78N50P3規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, Polar3™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)78A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs68mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs147nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9900pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1130W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-264AA (IXFK)
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44.2nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6506pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

194W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

440mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3095pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

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6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

43mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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