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IXFL70N60Q2

IXFL70N60Q2

僅供參考

型號 IXFL70N60Q2
PNEDA編號 IXFL70N60Q2
描述 MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,994
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFL70N60Q2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFL70N60Q2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFL70N60Q2, IXFL70N60Q2數據表 (總頁數: 4, 大小: 136.28 KB)
PDFIXFL70N60Q2數據表 封面
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IXFL70N60Q2規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)37A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs92mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs265nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds12000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)360W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ISOPLUS264™
包裝/箱ISOPLUS264™

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800mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

390mOhm @ 800mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

100pF @ 10V

FET功能

-

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4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 10.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

897pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.2Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

696pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

94W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1060pF @ 10V

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-

功耗(最大值)

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