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IXFN120N20

IXFN120N20

僅供參考

型號 IXFN120N20
PNEDA編號 IXFN120N20
描述 MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,058
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFN120N20資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFN120N20
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFN120N20, IXFN120N20數據表 (總頁數: 4, 大小: 157.56 KB)
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IXFN120N20規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs17mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs360nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9100pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)600W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SOT-227B
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 10.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

Schottky Diode (Body)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 5V

Vgs(最大)

±5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2300pF @ 4V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.05Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.9mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 37µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30.5nC @ 10V

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