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IXFN140N30P

IXFN140N30P

僅供參考

型號 IXFN140N30P
PNEDA編號 IXFN140N30P
描述 MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,470
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFN140N30P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFN140N30P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFN140N30P, IXFN140N30P數據表 (總頁數: 5, 大小: 115.46 KB)
PDFIXFN140N30P數據表 封面
IXFN140N30P數據表 頁面 2 IXFN140N30P數據表 頁面 3 IXFN140N30P數據表 頁面 4 IXFN140N30P數據表 頁面 5

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IXFN140N30P規格

制造商IXYS
系列Polar™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)300V
電流-25°C時的連續漏極(Id)110A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs24mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs185nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds14800pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)700W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SOT-227B
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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漏極至源極電壓(Vdss)

1200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

560nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14560pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

657W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

供應商設備包裝

SP1

包裝/箱

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-

FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 6.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

665pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 10.9W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

185nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

180W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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46mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

850mW (Ta), 20W (Tc)

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