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IXFN32N80P

IXFN32N80P

僅供參考

型號 IXFN32N80P
PNEDA編號 IXFN32N80P
描述 MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,580
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 20 - 十一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFN32N80P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFN32N80P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFN32N80P, IXFN32N80P數據表 (總頁數: 4, 大小: 92.6 KB)
PDFIXFN32N80P數據表 封面
IXFN32N80P數據表 頁面 2 IXFN32N80P數據表 頁面 3 IXFN32N80P數據表 頁面 4

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IXFN32N80P規格

制造商IXYS
系列PolarHV™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)29A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs270mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs150nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds8820pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)625W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SOT-227B
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1573pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

103W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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Nexperia USA Inc.

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.15V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3980pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

97W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

300mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 300mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

45pF @ 5V

FET功能

-

功耗(最大值)

150mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

238nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3790pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

310W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 9A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 5V

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 55W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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