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IXFN48N50U2

IXFN48N50U2

僅供參考

型號 IXFN48N50U2
PNEDA編號 IXFN48N50U2
描述 MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,218
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFN48N50U2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFN48N50U2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFN48N50U2, IXFN48N50U2數據表 (總頁數: 5, 大小: 151.88 KB)
PDFIXFN48N50U3數據表 封面
IXFN48N50U3數據表 頁面 2 IXFN48N50U3數據表 頁面 3 IXFN48N50U3數據表 頁面 4 IXFN48N50U3數據表 頁面 5

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IXFN48N50U2規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)48A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs100mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs270nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds8400pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)520W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SOT-227B
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15.4mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3000pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

105nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3810pF @ 4V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 52W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

49A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

12V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 24.5A, 12V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

730W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

112mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1110pF @ 25V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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