IXFN50N80Q2
僅供參考
| 型號 | IXFN50N80Q2 | ||||||||||||||||||
| PNEDA編號 | IXFN50N80Q2 | ||||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B | ||||||||||||||||||
| 制造商 | IXYS | ||||||||||||||||||
| 單價 |
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| 庫存 | 14 | ||||||||||||||||||
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 預計交貨 | 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* | ||||||||||||||||||
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IXFN50N80Q2資源
| 品牌 | IXYS |
| ECAD Module |
|
| 制造商零件編號 | IXFN50N80Q2 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-單 |
| 數據表 |
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IXFN50N80Q2規格
| 制造商 | IXYS |
| 系列 | HiPerFET™ |
| FET類型 | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 800V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 50A (Tc) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 10V |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 160mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 5.5V @ 8mA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 260nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 13500pF @ 25V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 1135W (Tc) |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Chassis Mount |
| 供應商設備包裝 | SOT-227B |
| 包裝/箱 | SOT-227-4, miniBLOC |
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