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IXFN52N100X

IXFN52N100X

僅供參考

型號 IXFN52N100X
PNEDA編號 IXFN52N100X
描述 MOSFET 1KV 44A ULTRA JCT SOT227
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,794
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFN52N100X資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFN52N100X
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXFN52N100X規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)44A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs125mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID6V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs245nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6725pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)830W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SOT-227B
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 75µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4100pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 136W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

440mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 4A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.8nC @ 4V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1120pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 136W (Tc)

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

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功耗(最大值)

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