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IXFP14N85XM

IXFP14N85XM

僅供參考

型號 IXFP14N85XM
PNEDA編號 IXFP14N85XM
描述 MOSFET N-CHANNEL 850V 14A TO220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,208
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFP14N85XM資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFP14N85XM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXFP14N85XM規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)850V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs550mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1043pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)38W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17.8mOhm @ 8.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

57nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1975pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

610mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 40W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

78nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4707pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

158W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 11.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

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-

功耗(最大值)

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