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IXFP3N120

IXFP3N120

僅供參考

型號 IXFP3N120
PNEDA編號 IXFP3N120
描述 MOSFET N-CH 1200V 3A TO-220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,406
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFP3N120資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFP3N120
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFP3N120, IXFP3N120數據表 (總頁數: 4, 大小: 565.15 KB)
PDFIXFP3N120數據表 封面
IXFP3N120數據表 頁面 2 IXFP3N120數據表 頁面 3 IXFP3N120數據表 頁面 4

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IXFP3N120規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 1.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs39nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1050pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)200W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

69nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4824pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

254W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.2A (Ta), 49A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.3mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

990pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.27W (Ta), 36.6W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 6.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 1mA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.14W (Ta)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.8mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 90µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

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功耗(最大值)

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