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IXFQ24N50P2

IXFQ24N50P2

僅供參考

型號 IXFQ24N50P2
PNEDA編號 IXFQ24N50P2
描述 500V POLAR2 HIPERFETS
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 26 - 一月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFQ24N50P2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFQ24N50P2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFQ24N50P2, IXFQ24N50P2數據表 (總頁數: 5, 大小: 120.66 KB)
PDFIXFQ24N50P2數據表 封面
IXFQ24N50P2數據表 頁面 2 IXFQ24N50P2數據表 頁面 3 IXFQ24N50P2數據表 頁面 4 IXFQ24N50P2數據表 頁面 5

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IXFQ24N50P2規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, PolarP2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)24A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs270mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs48nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2890pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)480W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3P
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

52A (Ta), 85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4290pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

7.4W (Ta), 83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 1.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

409pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

36W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

405pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 46A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

84nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3070pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

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功耗(最大值)

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