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IXFQ72N30X3

IXFQ72N30X3

僅供參考

型號 IXFQ72N30X3
PNEDA編號 IXFQ72N30X3
描述 300V/72A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,876
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFQ72N30X3資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFQ72N30X3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXFQ72N30X3規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)300V
電流-25°C時的連續漏極(Id)72A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs19mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 1.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs82nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5.4nF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)390W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3P
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1060pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

29A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 490µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1640pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

167W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

260mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5Ohm @ 240mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.81nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

26.7pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300mW (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

278W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W (Ta), 2.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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