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IXFR20N100P

IXFR20N100P

僅供參考

型號 IXFR20N100P
PNEDA編號 IXFR20N100P
描述 MOSFET N-CH 1000V 11A ISOPLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,776
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFR20N100P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFR20N100P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFR20N100P, IXFR20N100P數據表 (總頁數: 4, 大小: 107.42 KB)
PDFIXFR20N100P數據表 封面
IXFR20N100P數據表 頁面 2 IXFR20N100P數據表 頁面 3 IXFR20N100P數據表 頁面 4

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IXFR20N100P規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, PolarP2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs640mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID6.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs126nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7300pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)230W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ISOPLUS247™
包裝/箱ISOPLUS247™

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

320mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

816pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

90W (Tc)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

300mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9Ohm @ 300mA, 0V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

1.1W (Ta)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2720pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

66nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1810pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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