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IXFR26N100P

IXFR26N100P

僅供參考

型號 IXFR26N100P
PNEDA編號 IXFR26N100P
描述 MOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,688
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 23 - 十二月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFR26N100P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFR26N100P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFR26N100P, IXFR26N100P數據表 (總頁數: 4, 大小: 107.31 KB)
PDFIXFR26N100P數據表 封面
IXFR26N100P數據表 頁面 2 IXFR26N100P數據表 頁面 3 IXFR26N100P數據表 頁面 4

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IXFR26N100P規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, PolarP2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs430mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID6.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs197nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11900pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)290W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ISOPLUS247™
包裝/箱ISOPLUS247™

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

590pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 22.9W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.2nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

480pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

116nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9265pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.5A (Ta), 36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1380pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

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60mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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2.5W (Ta)

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