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IXFR30N110P

IXFR30N110P

僅供參考

型號 IXFR30N110P
PNEDA編號 IXFR30N110P
描述 MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 4,590
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFR30N110P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFR30N110P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFR30N110P, IXFR30N110P數據表 (總頁數: 4, 大小: 110.9 KB)
PDFIXFR30N110P數據表 封面
IXFR30N110P數據表 頁面 2 IXFR30N110P數據表 頁面 3 IXFR30N110P數據表 頁面 4

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IXFR30N110P規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, PolarP2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs400mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID6.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs235nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds13600pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)320W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ISOPLUS247™
包裝/箱ISOPLUS247™

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

620mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

390pF @ 25V

FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

240mOhm @ 15.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4670pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

565W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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制造商

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3610pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

320W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

530mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

300nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9670pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

545W (Tc)

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