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IXFR44N50Q3

IXFR44N50Q3

僅供參考

型號 IXFR44N50Q3
PNEDA編號 IXFR44N50Q3
描述 MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,336
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFR44N50Q3資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFR44N50Q3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFR44N50Q3, IXFR44N50Q3數據表 (總頁數: 5, 大小: 149.13 KB)
PDFIXFR44N50Q3數據表 封面
IXFR44N50Q3數據表 頁面 2 IXFR44N50Q3數據表 頁面 3 IXFR44N50Q3數據表 頁面 4 IXFR44N50Q3數據表 頁面 5

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IXFR44N50Q3規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)25A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs154mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID6.5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs93nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4800pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ISOPLUS247™
包裝/箱TO-247-3

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

595mOhm @ 3.75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.75V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

390pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

4W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

99mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 530µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1952pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

117W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

480mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.9nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

功耗(最大值)

760mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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